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FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module - INFINEON
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FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module - INFINEON

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INFINEONUGS :FF900R17ME7B11BPSA1 Code de commande:3994947
Prix:
€651,96

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Stock:
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Technical Data Sheet (694.09KB) EN

description

  • Collector Emitter Saturation Voltage: 1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V
  • Collector Emitter Voltage Max: 1.7kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
  • Continuous Collector Current: 900A
  • DC Collector Current: 900A
  • IGBT Configuration: Dual [Half Bridge]
  • IGBT Technology: IGBT 7 [Trench/Field Stop]
  • IGBT Termination: Press Fit
  • Junction Temperature Tj Max: 175°C
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 20mW
  • Power Dissipation Pd: 20mW
  • Product Range: PW Series
  • Transistor Case Style: Module
  • Transistor Mounting: Panel

Frais de port prévus

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