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IMBG65R039M1HXTMA1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 - INFINEON
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IMBG65R039M1HXTMA1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 - INFINEON

IMBG65R039M1HXTMA1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 - INFINEON

INFINEONUGS :IMBG65R039M1HXTMA1 Code de commande:3928617
Prix:
€25,74

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description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 54A
  • Drain Source On State Resistance: 0.039ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 650V
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 4.5V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • MSL: -
  • No. of Pins: 7Pins
  • On Resistance Rds(on): 0.039ohm
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 211W
  • Power Dissipation Pd: 211W
  • Product Range: CoolSiC M1 Trench Series
  • Rds(on) Test Voltage: 18V
  • Transistor Case Style: TO-263
  • Transistor Polarity: N Channel

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