IMW65R083M1HXKSA1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247 - INFINEON

INFINEONUGS :IMW65R083M1HXKSA1 Code de commande:3889204

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description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 24A
  • Drain Source On State Resistance: 0.083ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 650V
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 4.5V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • No. of Pins: 3Pins
  • On Resistance Rds(on): 0.083ohm
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 104W
  • Power Dissipation Pd: 104W
  • Product Range: CoolSiC Series
  • Rds(on) Test Voltage: 18V
  • Transistor Case Style: TO-247
  • Transistor Polarity: N Channel

Frais de port prévus

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