BSM400D12P2G003 - Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module - ROHM

ROHMSKU:BSM400D12P2G003 Bestelcode:3573228

Prijs:
Actie prijs€1.870,44

Incl. BTW Verzendkosten berekening in de checkout

Voorraad:
Nog maar 4 producten leverbaar

Documenten en downloads

Omschrijving

  • Channel Type: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 400A
  • Drain Source On State Resistance: -
  • Drain Source Voltage Vds: 1.2kV
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 4V
  • MOSFET Module Configuration: Half Bridge
  • No. of Pins: -
  • On Resistance Rds(on): -
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Power Dissipation: 2.45kW
  • Power Dissipation Pd: 2.45kW
  • Product Range: -
  • Rds(on) Test Voltage: -
  • Transistor Case Style: Module
  • Transistor Polarity: Dual N Channel

Verwachte verzendkosten

Bekijk ook eens