SIHB30N60E-GE3 MOSFET, N Ch, 600v, 29A, D2PAK Vishay

VISHAYSKU:SIHB30N60E-GE3 Bestelcode:2079779

Prijs:
Actie prijs€9,63

Incl. BTW Verzendkosten berekening in de checkout

Voorraad:
Op voorraad (1481 units)

Documenten en downloads

Omschrijving

VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

  • Transistor Polarity: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 29A
  • Drain Source Voltage Vds: 600V
  • On Resistance Rds(on): 0.104ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 2V
  • Power Dissipation Pd: 250W
  • Transistor Case Style: TO-263
  • No. of Pins: 3Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: E Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Operating Temperature Min: -55°C
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Voltage Vgs Max: 30V

Verwachte verzendkosten

Bekijk ook eens