Halfgeleiders & sensors
SIHU4N80AE-GE3 MOSFET, N-Ch, 800V, 4.1A, 62.5W Vishay
Beweeg over de afbeelding om in te zoomen Tik op de afbeelding om in te zoomen
SIHU4N80AE-GE3 MOSFET, N-Ch, 800V, 4.1A, 62.5W Vishay

SIHU4N80AE-GE3 MOSFET, N-Ch, 800V, 4.1A, 62.5W Vishay

VISHAYSKU:SIHU4N80AE-GE3 Bestelcode:3104158
Prijs:
€3,44

Incl. BTW Verzendkosten berekening bij het afrekenen

Voorraad:
Op voorraad (2877 units)

Omschrijving

VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.1 A, 1.25 ohm, TO-251, Through Hole

  • Transistor Polarity: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.1A
  • Drain Source Voltage Vds: 800V
  • On Resistance Rds(on): 1.25ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 4V
  • Power Dissipation Pd: 62.5W
  • Transistor Case Style: TO-251
  • No. of Pins: 3Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: E Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Verwachte verzendkosten

Bekijk ook eens