IMBG120R090M1HXTMA1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) - INFINEON

INFINEONUGS :IMBG120R090M1HXTMA1 Code de commande:3582464

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description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 26A
  • Drain Source On State Resistance: 0.09ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 1.2kV
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 4.5V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • No. of Pins: 7Pins
  • On Resistance Rds(on): 0.09ohm
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 136W
  • Power Dissipation Pd: 136W
  • Product Range: CoolSiC
  • Rds(on) Test Voltage: 18V
  • Transistor Case Style: TO-263 (D2PAK)
  • Transistor Polarity: N Channel

Frais de port prévus

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