IXFN360N10T MOSFET Module, N-Ch, 100V, 360A IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTORUGS :IXFN360N10T Code de commande:2784061

Prix:
Prix ​​promotionnel€37,11

incl. T.V.A. Calcul des frais d'expédition à la caisse

Stock:
En stock (295 unité)

description

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET Transistor, GigaMOS™, N Channel, 360 A, 100 V, 0.0026 ohm, 100 V, 4.5 V, SOT-227B

  • Transistor Polarity: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 360A
  • Drain Source Voltage Vds: 100V
  • On Resistance Rds(on): 0.0026ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 100V
  • Threshold Voltage Vgs: 4.5V
  • Power Dissipation Pd: 830W
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Product Range: Trench HiperFET Series
  • SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)

Frais de port prévus

Tu pourrais aussi aimer