NTH4L060N090SC1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247 - ONSEMI

ONSEMIUGS :NTH4L060N090SC1 Code de commande:3766207

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description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 66.9A
  • Drain Source On State Resistance: 0.0531ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 900V
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 2.09V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • No. of Pins: 4Pins
  • On Resistance Rds(on): 0.0531ohm
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 320W
  • Power Dissipation Pd: 320W
  • Product Range: -
  • Rds(on) Test Voltage: 15V
  • Transistor Case Style: TO-247
  • Transistor Polarity: N Channel

Frais de port prévus

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