SIS890DN-T1-GE3 MOSFET, N-Ch, 100V, PPAK-1212 Vishay

VISHAYUGS :SIS890DN-T1-GE3 Code de commande:2283693

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VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

  • Transistor Polarity: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 30A
  • Drain Source Voltage Vds: 100V
  • On Resistance Rds(on): 0.0195ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 1.5V
  • Power Dissipation Pd: 52W
  • Transistor Case Style: PowerPAK 1212
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: -
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Operating Temperature Min: -55°C
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C

Frais de port prévus

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